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YY119广泛应用于开环霍尔效应电流传感器、钳流表

GaAs砷化镓作为第二代半导体，其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称，制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域(诸如安防、精密设备制造等)。